硅粉與HCI反應(yīng)是在硅的表面進(jìn)行的

       氧和水份對合成反應(yīng)傷害很大

       影響三氯氫硅生產(chǎn)合成的因素主要有：溫度、氧和水分的影響、游離氯的控制、硅粉粒度、料層高度和氯化氫流量。以下針對影響因素作簡要概述。

       硅粉粒度

       硅粉與氯化氫氣體反應(yīng)是在硅的表面進(jìn)行的，硅粉比表面積越大，越有利于反應(yīng)，即要求硅粉粒度應(yīng)該較小。但是粒度過小，流化時容易形成聚式流化床，有較多的氣泡，將抑制傳質(zhì)進(jìn)行，使氯 化氫的一次轉(zhuǎn)化率降低，同時，較小的顆粒迅速反應(yīng)，很快就達(dá)到帶出粒徑范圍，使硅粉的利用率降低。因此，選用粒度適中的硅粉是很重要的。

       氧和水份的影響

       氧和水份對合成反應(yīng)傷害很大，因?yàn)镾i-0化學(xué)鍵比Si-Cl化學(xué)鍵更穩(wěn)定，進(jìn)入系統(tǒng)的氧元素都會與硅合成硅膠或硅氧烷類物質(zhì)，一方面在硅粉表面形成一層致密的氧化膜，影響反應(yīng)的正常進(jìn)行，使產(chǎn)物中三氯氫硅含量降低，此外還形成硅膠類物質(zhì)堵塞管道，使生產(chǎn)系統(tǒng)發(fā)生故障。

       料層高度和氯化氫流量

       有形成“管涌”的可能性，如果料層過低，產(chǎn)生不均勻沸騰，反應(yīng)的接觸時間也縮短，產(chǎn)量會降低。氯化氫的流量決定了顆粒床的流化狀態(tài)。具體的料層高度和氯化氫流量需通過實(shí)際生產(chǎn)實(shí)踐確定。

       氯化氫中游離氯的控制

       游離氯對合成爐的影響主要是兩個方面：一是含量過高有爆炸危險(xiǎn)，另外是會影響合成的質(zhì)量。通過氯化氫合成爐反應(yīng)時氫過量4%左右來控制游離氯，并用含量檢測儀連續(xù)檢測氯化氫的質(zhì)量來確保游離氯含量低于生產(chǎn)要求

       三氯氫硅生產(chǎn)合成中，用到的材料其特殊性，直接關(guān)系到三氯氫硅的產(chǎn)品品質(zhì)，以及合成過程的正常運(yùn)行。

       山東言赫化工有限公司專業(yè)經(jīng)營淄博萬達(dá)利特種氣體公司生產(chǎn)的氯化氫是在淄博齊魯石化工業(yè)園區(qū)注冊的高新科技企業(yè)，淄博萬達(dá)利直屬于北京華宇同方，主要從事新材料技術(shù)和化工新技術(shù)的研發(fā)，以及高新技術(shù)產(chǎn)品的生產(chǎn)和銷售。研發(fā)的沸石催化劑及其應(yīng)用技術(shù)處于世界先進(jìn)水平.生產(chǎn)的“華宇同方”牌高純氯化氫產(chǎn)品與國際知名品牌的性能相當(dāng),為半導(dǎo)體器件制造業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)和醫(yī)藥工業(yè)提供了充足的優(yōu)質(zhì)原材料。